Cas 409-21-2 poda ya silicon yenye usafi wa hali ya juu nano SiC nanopoda na nanoparticles

Silicon carbide (SiC), pia inajulikana kama carborundum, ni kiwanja cha silicon na kaboni na fomula ya kemikali ya SiC.Inatokea kwa asili kama moissanite ya nadra sana ya madini.Poda ya silicon ya sanisi ya carbide imetolewa kwa wingi tangu 1893 kwa matumizi kama abrasive.Nafaka za silicon carbide zinaweza kuunganishwa pamoja kwa kuchemshwa na kutengeneza keramik ngumu sana ambazo hutumiwa sana katika matumizi yanayohitaji ustahimilivu wa hali ya juu, kama vile breki za gari, nguzo za magari na sahani za kauri katika fulana zisizo na risasi.Utumizi wa kielektroniki wa kaboni ya silicon kama vile diodi zinazotoa mwanga (LEDs) na vigunduzi katika redio za mapema vilionyeshwa kwa mara ya kwanza karibu 1907. SiC hutumiwa katika vifaa vya kielektroniki vya semiconductor ambavyo vinafanya kazi kwa viwango vya juu vya joto au viwango vya juu, au zote mbili.Fuwele kubwa moja za carbudi ya silicon zinaweza kukuzwa kwa njia ya Lely;zinaweza kukatwa katika vito vinavyojulikana kama moissanite ya syntetisk.Carbudi ya silicon yenye eneo la juu inaweza kuzalishwa kutoka kwa SiO2 iliyo katika nyenzo za mimea.